気相成長方法
文献类型：专利
| 作者 | 櫛部 光弘; 船水 将久 |
| 发表日期 | 1993-01-29 |
| 专利号 | JP1993021355A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 気相成長方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 燐を含む複数のV族元素或いは、燐とVI族純物元素を含む結晶の III-V族化合物半導体の有機金属気相成長方法において、固相中のV族組成及びVI族濃度のコントロールを容易に行うこと。 【構成】 反応容器31内に原料ガスとして、ガリウムの有機金属化合物,インジウムの有機金属化合物,燐の水素化物及び砒素の水素化物を導入して、基板32上にGax In1-x Asy P1-y を成長形成する有機金属気相成長方法において、予め水素化物の供給量[PH3 ],[AsH3 ]と、形成された化合物半導体層中の砒素の割合y及び燐の割合(1-y)とを測定して、{[AsH3 ]/y}/{[PH3 ]1/2 /(1-y)}=Cで定まる比例係数Cを求め、この比例係数Cを元に、形成すべき化合物半導体層に対する水素化物供給量[PH3 ],[AsH3 ]をそれぞれ設定する。 |
| 公开日期 | 1993-01-29 |
| 申请日期 | 1991-07-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76857]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 櫛部 光弘,船水 将久. 気相成長方法. JP1993021355A. 1993-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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