半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 土井 健嗣 |
| 发表日期 | 2002-08-02 |
| 专利号 | JP3335917B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高反射膜コーティング用として有用な、吸収係数の小さい酸化チタン膜を容易に作製する方法、光吸収の少ない高反射膜コーティングを具備し且つ高信頼なAlGaInP系可視光半導体レーザの製造方法の提供。 【解決手段】 半導体基板上に形成された活性層と、該活性層を含む一対のクラッド層とを備えた半導体レーザにおいて、該半導体レーザの共振器端面の少なくとも一方が、第一の絶縁物と、第二の絶縁物である酸化チタン膜とを少なくとも一周期以上交互に積層した構造を備え、第二の絶縁物である酸化チタン膜は、TiO2をターゲットとしたスパッタ方法により、酸素の導入は行わずに、スパッタ圧力を0.6〜10 Paの範囲内にして作製する。 |
| 公开日期 | 2002-10-21 |
| 申请日期 | 1998-07-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76868]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 土井 健嗣. 半導体レーザの製造方法. JP3335917B2. 2002-08-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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