半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松原 邦雄 |
| 发表日期 | 1996-12-24 |
| 专利号 | JP1996340151A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】GaAsキャップ層のドーパントZnの異常拡散を防止し、高抵抗の半導体レーザ素子の発生を押さえ、半導体レーザ素子の製造歩留りを向上させる。 【構成】第1導電型のGaAs基板1の一主面上に、第1導電型のAlX Ga1-X As(0≦x≦1)の組成の第1クラッド層2、AlY Ga1-Y As(0≦y≦x≦1)の組成の活性層3、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第2クラッド層4、第2導電型のGaAsのキャップ層5、第1導電型のレーザ光軸と平行に2つの区域に分割されているAlw Ga1-w As(0≦w≦1)の組成の電流狭窄層6、第2導電型のAlX Ga1-X Asの組成の第3クラッド層7、第2導電型のGaAsのコンタクト層8が順に積層されているAlGaAs系半導体レーザ素子の製造方法において、前記電流狭窄層6の2つの区域の選択エピタキシャル成長時のマスクを窒化アルミニウム層10aとする。 |
| 公开日期 | 1996-12-24 |
| 申请日期 | 1995-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76880]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 邦雄. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1996340151A. 1996-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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