半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 寺田 敏行; 鈴木 哲哉; 藤田 泰久; 藤井 智 |
| 发表日期 | 1996-09-13 |
| 专利号 | JP1996236870A |
| 著作权人 | 新日本製鐵株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電気的特性が良く、かつ信頼性の高い半導体レーザ装置及びこれを歩留まり良く製造することができる半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 【構成】 基板表面を異方性エッチングによりレーザ発振領域直下の領域が平面状をなし、かつそれ以外の領域が基板の(111)面を表面とする斜面のみで構成されるようにし、MBE法、MOMBE法、CBE法などによりクラッド層、活性層などを形成してレーザ発振構造を形成することにより、基板の(111)面上では例えばp型クラッド層が高抵抗層となることから、結晶成長前の基板に対するエッチング処理のみで電流狭窄構造が得られ、製造工数を減らせると共にドーピング、エッチングなどによる各層への悪影響を最小限に留めることができることから、電気的特性が良く信頼性の高い半導体装置が歩留り良く製造できる。 |
| 公开日期 | 1996-09-13 |
| 申请日期 | 1995-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76896]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新日本製鐵株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺田 敏行,鈴木 哲哉,藤田 泰久,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1996236870A. 1996-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。