半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 本多 正治; 池上 隆俊; 藪内 隆稔; 三宅 輝明; 中島 健二 |
| 发表日期 | 1997-06-06 |
| 专利号 | JP1997148667A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 薄膜成長で格子不整合を生じ素子劣化をさせたり、それを未然に防ぐために一定期間素子製造を行った後に、定期的に成長装置を成膜特性の確認のためだけに厚膜成長させ、素子製造と異なるプロセスで煩雑な作業を繰り返し、また材料も無駄にすることとなった。 【解決手段】 基板の上にバッファ層を形成し、そのバッファ層の上に4元系のクラッド層を形成し、そのクラッド層の下もしくはクラッド層の中に特定組成のモニタ層を厚膜成長させ、クラッド層の上に特定組成の薄膜を光ガイド層もしくは障壁層として積層し量子井戸型の活性層や光ガイド層をさらに積層する。モニタ層は上側クラッド層に設けてもよい。 |
| 公开日期 | 1997-06-06 |
| 申请日期 | 1995-11-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76903]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 本多 正治,池上 隆俊,藪内 隆稔,等. 半導体レーザ. JP1997148667A. 1997-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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