半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 今西 大介 |
| 发表日期 | 2009-12-10 |
| 专利号 | JP2009289814A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】キャリア·オーバーフローを抑制することにより、高温動作を可能とする半導体発光素子を提供する。 【解決手段】活性層13とp型クラッド層15との間に設けられたp型ガイド層14が、III族元素としてB(ホウ素)を含むIII-V族化合物半導体、具体的には、p型BInP、p型BGaAsまたはp型BAlPにより構成されている。これにより、p型ガイド層14において、III族元素としてBを含まない場合と比べて電子の有効質量が大きくなる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-12-10 |
| 申请日期 | 2008-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76910]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今西 大介. 半導体発光素子. JP2009289814A. 2009-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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