半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 木戸口 勲; 足立 秀人; 熊渕 康仁 |
| 发表日期 | 1997-08-19 |
| 专利号 | JP1997219558A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 安定な自励発振特性を有し信頼性の高い半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型GaAsからなる基板201と、活性層204と、活性層204を挟む一対のクラッド層を備えた半導体レーザである。さらに、活性層204に隣接したスペーサ層205と、可飽和吸収層206とを有している。可飽和吸収層206に隣接するスペーサ層およびp型クラッド層に高ドープすることにより、キャリア寿命を低減化し、安定した自励発振特性が得られ、その結果、広い温度範囲に渡り相対雑音強度の低い半導体レーザを実現できる。 |
| 公开日期 | 1997-08-19 |
| 申请日期 | 1996-02-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76925]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木戸口 勲,足立 秀人,熊渕 康仁. 半導体レーザ. JP1997219558A. 1997-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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