半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 荒川 智志; 石川 卓哉; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP1999186647A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力の下でもCODが発生し難い、新規な構成の可視光半導体レーザを提供する。 【解決手段】 本可視光半導体レーザ10は、n-GaAs基板12上に、順次、エピタキシャル成長した、n-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 P下部クラッド層14、Ga0.5 In0.5P活性層16、p-(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 P上部クラッド層18、p-Ga0.5 In0.5 P中間層20、及びp-GaAsコンタクト層22とから構成された、通常のリッジ型の積層構造を備えている。更に、半導体レーザ10は、へき開による共振器面の少なくとも一方の端面28に10nmのGaP膜30を有する。 |
| 公开日期 | 1999-07-09 |
| 申请日期 | 1997-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76932]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荒川 智志,石川 卓哉,粕川 秋彦. 半導体レーザ. JP1999186647A. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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