化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 波多野 吾紅; 大場 康夫 |
| 发表日期 | 1996-05-31 |
| 专利号 | JP1996139361A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 III-V族化合物としてのGaAlInN系材料を用いて青色域で発光させることができ、かつ製造コストの低減及び発光効率の向上をはかり得るLEDを提供すること。 【構成】 青色域で発光する化合物半導体LEDにおいて、石英ガラス基板11上にZnOバッファ層12を介して、n型GaNクラッド層13,GaN発光層14及びp型GaNクラッド層15からなるダブルヘテロ構造部を形成し、かつ発光層14にドナー不純物としてのSeとアクセプタ不純物としてのMgを同時に添加したことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1996-05-31 |
| 申请日期 | 1994-11-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76945]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 波多野 吾紅,大場 康夫. 化合物半導体発光素子. JP1996139361A. 1996-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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