半導体光集積素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 誠; 青木 雅博; 谷渡 剛 |
| 发表日期 | 1995-08-18 |
| 专利号 | JP1995221390A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】選択成長による異種半導体光導波路の一括形成法を用いる場合、異種光導波路間において、成長速度変化率を所望の値に維持しつつ、基板に対する格子定数の歪量変化率を抑制すること、量子井戸の障壁層の基板面と平行な面方位での膜厚変化率を低減すること。 【構成】半導体基板1上に形成する絶縁膜マスク2間の目空き幅を10μmないし30μmとし、光軸と鉛直方向の断面において、InGaAsPバッファ層3の(111)B面の長さを(100)面の長さの約1/8以上にし、又、量子井戸層4のInGaAsP障壁層7の成長速度が(111)B面上と(100)面上でほぼ等しくなるように成長条件を制御する。 |
| 公开日期 | 1995-08-18 |
| 申请日期 | 1994-02-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76950]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 誠,青木 雅博,谷渡 剛. 半導体光集積素子及びその製造方法. JP1995221390A. 1995-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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