半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 明彦; 木戸口 勲; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 2001-07-06 |
| 专利号 | JP3206160B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力で安定に基本横モード発振する半導体レーザの製造方法を提供する。 【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2、n-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層3、Ga0.5In0.5P活性層4、p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層5、p-Ga0.5In0.5P中間層6、n-GaAs電流狭窄層7を減圧MOVPE法を用いて順次堆積する。次に、p-GaAsコンタクト層8を堆積した後、ドーピングを中止し、GaAsキャップ層9を0.15μmの厚みで堆積する。さらに連続して750℃、76TorrのH2、AsH3混合雰囲気中で30分熱処理する。最後にGaAsキャップ層9をエッチング除去した後、陽電極、陰電極を形成する。これによりp-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層5中のドーパントの活性化が増大し、活性化したドーパントの拡散によってp-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層5中に存在する自然超格子を無秩序化し、そのバンドギャップを均一的に増大できるので、半導体レーザに注入したキャリアを対称性良く活性層に導入することができ、基本横モードの安定性の高い高出力の半導体レーザを得ることができる。 |
| 公开日期 | 2001-09-04 |
| 申请日期 | 1992-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76957]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 明彦,木戸口 勲,大仲 清司. 半導体レーザの製造方法. JP3206160B2. 2001-07-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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