半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 手銭 雄太 |
| 发表日期 | 1998-01-16 |
| 专利号 | JP1998012962A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 InP系材料を用いた半導体レーザ装置において、電流ブロック層としてInGaAlPを用いることで、安定した結晶成長が可能となるとともに、格子不整合に伴う問題点も回避でき、特に高出力動作時に良好な特性が得られた。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、基板101上に下クラッド層102、活性層103、第1上クラッド層104、電流ブロック層105、第2上クラッド層107、コンタクト層108を積層しているが、電流ブロック層105にInGaAlPを用いることで、InPからなる基板101との間の格子不整合を低く抑え、さらに高出力動作時の特性が良好な半導体レーザ装置が得られた。 |
| 公开日期 | 1998-01-16 |
| 申请日期 | 1996-06-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76962]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 手銭 雄太. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1998012962A. 1998-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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