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光信号増幅素子

文献类型:专利

作者曲 克昭; 伊藤 敏夫; 神徳 正樹
发表日期1995-01-10
专利号JP1995007227A
著作权人日本電信電話株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光信号増幅素子
英文摘要【目的】 光導波路としてバリア層の高いものを利用しつつ、光増幅器への電流注入を容易にする光信号増幅素子を得る。 【構成】 半導体基板102と、該基板上に形成された少なくとも光導波層を有する光導波路上に装荷された少なくとも活性層とクラッド層とからなり、電流を注入する電極を有する光増幅器からなる光信号増幅素子において、前記光導波層が多重量子井戸構造104で構成され、そのバリア層の電子に対する障壁の高さがクラッド層106よりも高く、かつ、前記半導体基板102としてp型の半導体基板を用いる。前記半導体基板102として、p型のInPを用いる。前記光導波層のバリア層としてInGaAlAsまたはInAlAsを用いる。
公开日期1995-01-10
申请日期1993-06-18
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76980]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
曲 克昭,伊藤 敏夫,神徳 正樹. 光信号増幅素子. JP1995007227A. 1995-01-10.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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