Semiconductor device
文献类型：专利
| 作者 | SUGINO, TAKASHI; ITOH, KUNIO; WADA, MASARU; SHIMIZU, HIROKAZU |
| 发表日期 | 1985-05-28 |
| 专利号 | US4520485 |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor device |
| 英文摘要 | On a semiconductor laser substrate, a groove of tapered width is formed, and at least one crystal layer is formed on the substrate. The crystal layer is usable as a waveguide with two light input ends l1 and l2 and one light output end l3 as shown in FIG. 4(C). |
| 公开日期 | 1985-05-28 |
| 申请日期 | 1982-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76991]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | SUGINO, TAKASHI,ITOH, KUNIO,WADA, MASARU,et al. Semiconductor device. US4520485. 1985-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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