半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊賀 龍三; 山田 武; 中尾 正史; 杉浦 英雄 |
| 发表日期 | 1994-02-04 |
| 专利号 | JP1994029619A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザの製造方法にあって、半導体薄膜の1回の成長にてレーザ構造を得ることを目的とする。 【構成】 V溝を有する段差基板上に有機金属分子線エピタキシャル法あるいは有機金属気相成長法を用いて半導体薄膜を成長させたことにより、グレーティング構造及びその後の薄膜成長レーザ構造を一回の成長にて可能となる。 |
| 公开日期 | 1994-02-04 |
| 申请日期 | 1992-07-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76993]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊賀 龍三,山田 武,中尾 正史,等. 半導体レーザの製造方法. JP1994029619A. 1994-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。