半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 鴫原 君男 |
| 发表日期 | 2008-07-10 |
| 专利号 | JP2008160157A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジ型光導波路を有する半導体レーザにおいて、金線をワイヤボンドした際のダメージを低減すると共に、半導体レーザの基本モードをカットオフすることなく伝搬し、また、半導体レーザモジュールにおいて光出力キンクを抑制し得るようにする。 【解決手段】リッジ型光導波路15の外側に所定幅の低屈折率領域16を設けると共に、上記低屈折率領域の更に外側に上記低屈折率領域の屈折率より高い屈折率の高屈折率領域17を設けた半導体レーザ装置において、上記リッジ型光導波路と上記低屈折率領域で決まる正規化周波数をπ/2以下にし、かつ上記低屈折率領域と高屈折率領域の境界における光の電界強度を、上記リッジ型光導波路の中央部における光の電界強度の5/1000以下とした構成とする。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-07-10 |
| 申请日期 | 2008-03-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76997]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鴫原 君男. 半導体レーザ装置. JP2008160157A. 2008-07-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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