半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 池上 嘉一 |
| 发表日期 | 1994-05-20 |
| 专利号 | JP1994140621A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 製造歩留りのよいフォトダイオード内蔵の半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 第1導電型半導体基板11上に第1導電型下部クラッド層12、活性層13、第2導電型上部クラッド層14、活性層13よりもバンドギャップエネルギーが小さい半導体層17を順次積層し、前記積層面上に、第1導電用電極21および第2導電用電極23を分離して形成し、且つ第1導電用電極21は活性層13上に位置しており、前記第1導電用電極21から半導体層17までは第1導電型に、前記第2導電用電極23から第2導電型上部クラッド層14までは第2導電型にする。 |
| 公开日期 | 1994-05-20 |
| 申请日期 | 1992-10-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77005]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池上 嘉一. 半導体素子. JP1994140621A. 1994-05-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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