半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 寺田 敏行; 鈴木 哲哉; 藤田 恭久; 藤井 智 |
| 发表日期 | 1996-08-30 |
| 专利号 | JP1996222813A |
| 著作权人 | 新日本製鐵株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 II-VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるp型層と電極間のオーム性接触が容易に得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。 【構成】 II-VI族化合物半導体エピタキシャル結晶からなるp型層6を有機金属化学気相成長法または光有機金属気相成長法により第1の基板温度にて基板上に形成し、次に第1の基板温度よりも低い第2の基板温度にてTe(テルル)からなる中間層7を光有機金属気相成長法によりp型層上に形成し、次にAu(金)からなる電極層8を中間層上に形成するものとする。これにより、p型層と中間層との間に酸化絶縁層が生じることがなく、更に中間層上に形成される酸化絶縁層をAu電極層が分解し、かつ中間層内にAuが拡散10してp型層と直接接触するので、p型層とAu電極層との間の界面残留電位障壁が小さくなる。従って、単純な構造で容易にp型層とAu電極層との間でオーム性接触が得られる。 |
| 公开日期 | 1996-08-30 |
| 申请日期 | 1995-02-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77024]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新日本製鐵株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺田 敏行,鈴木 哲哉,藤田 恭久,等. 半導体装置の製造方法. JP1996222813A. 1996-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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