半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 中山 毅 |
| 发表日期 | 1996-11-22 |
| 专利号 | JP1996307003A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体レーザ装置のクラッド層の結晶の劣化を防止し、垂直放射角の拡がりを抑制する。 【構成】 第2クラッド層14を、GaAsよりも格子定数の大きいp-AlGaAs層15とGaAsよりも格子定数の小さいp-InGaAsP層16とを交互に積層した超格子構造とし、GaAs基板1に格子整合することにより、結晶の劣化を防止でき、クラッド層の厚さを十分に厚くすることができる。その結果、GaAsコンタクト層10への光のしみ出しを防止し、垂直放射角の拡がりを抑制できる。また、リッジ上部または下部のGaAs層を除去することにより、垂直放射角の拡がりを抑制することができる。 |
| 公开日期 | 1996-11-22 |
| 申请日期 | 1995-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77039]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中山 毅. 半導体レーザ装置. JP1996307003A. 1996-11-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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