半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 岡 聡彦; 大石 昭夫; 小野 佑一 |
| 发表日期 | 1995-06-06 |
| 专利号 | JP1995147454A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】歪量子井戸の歪量を均一化し、半導体素子の低しきい値化など、特性改善を図る。 【構成】歪多重量子井戸活性層10を構成する歪量子井戸4,5,6,7,8の歪の無い状態でのn-InP基板1との格子定数差が、n-InP基板1または、p-InPクラッド層12に最も近接した歪量子井戸4,8に比べ、内部に位置する歪量子井戸5,6,7の方を大きくする。 【効果】多重歪量子井戸の内部に位置する歪量子井戸の歪の緩和を補償できるため、臨界膜厚の範囲で、歪量を最大にできる。 |
| 公开日期 | 1995-06-06 |
| 申请日期 | 1993-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77047]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡 聡彦,大石 昭夫,小野 佑一. 半導体素子. JP1995147454A. 1995-06-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。