面発光型半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 福島 徹 |
| 发表日期 | 1994-10-18 |
| 专利号 | JP1994291414A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 しきい値電流が低く、高速応答が可能な面発光型半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半絶縁性半導体基板31上に下部光閉じ込め層32、下部クラッド層33、活性層34および上部光閉じ込め層40が順次積層され、n電極41は上部光閉じ込め層40上に設けられ、p電極42は下部クラッド層36、37上に設けられ、正孔は下部光閉じ込め層32を経ずに活性層34下面ないし側面から活性層34に注入される。 |
| 公开日期 | 1994-10-18 |
| 申请日期 | 1993-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77060]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福島 徹. 面発光型半導体レーザ素子. JP1994291414A. 1994-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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