半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小川 洋; 荒平 慎; 沓澤 聡子; 松井 康浩 |
| 发表日期 | 1997-06-20 |
| 专利号 | JP1997162492A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 可飽和吸収体を用いて整形されたパルス光の受動モード同期動作が可能な半導体レーザを提供する。 【解決手段】 半導体レーザを上から見た平面図(A)において、46はP側電極、28はInPブロック層、32はコンタクト層である。(B)は導波路層の高さでの水平断面図で、10,11はInGaAsP(バンドギャップ3μm)の導波路領域、16,17は同じ材料で組成の異なるバンドギャップ55μmの活性領域、12は導波方向に直交して挿入された非線形光学材料の平面導波路領域である。活性領域16,17は利得部18を構成し、10,11,12から成る導波部14とで共振器20を構成する。この共振器では、可飽和効果のために強い光は領域12の導波路の中心に集束され、弱い光は導波路領域10,11から領域12内に回折効果で発散させられる。その結果、整形された短パルス光が受動モード同期でレージングされる。 |
| 公开日期 | 1997-06-20 |
| 申请日期 | 1995-12-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77063]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小川 洋,荒平 慎,沓澤 聡子,等. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1997162492A. 1997-06-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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