半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 横山 清行; 竹下 達也; 須郷 満 |
| 发表日期 | 2004-08-27 |
| 专利号 | JP3590277B2 |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 遠視野像の水平、垂直方向の扁平比が小さく、シングルモードファイバとの結合は、球面レンズを用いた高精度な位置合わせを要することなく、高効率に行うことができ、活性層領域の光閉じこめを減少させることなく、ゲイン媒質を有効に利用でき、デバイス全体としてのロスの低減効果でより高出力特性を得ることのできる半導体レーザを提供する。 【解決手段】 深さ方向の光強度分布を上部(リッジ方向)に引き上げるために、第1の導波路と第1のSCH層の間に低屈折率層を挿入した構成、あるいは、第2のSCH層と第2の導波路との間に高屈折率層を挿入した構成、あるいは、第1の導波路と第1のSCH層の間に低屈折率層を挿入するとともに、第2のSCH層と第2の導波路との間に高屈折率層を挿入した構成を特徴とする。 |
| 公开日期 | 2004-11-17 |
| 申请日期 | 1998-11-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77074]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 横山 清行,竹下 達也,須郷 満. 半導体レーザ. JP3590277B2. 2004-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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