半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 杵築 弘隆; 宮下 宗治 |
| 发表日期 | 1998-02-03 |
| 专利号 | JP1998032369A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高い信頼性を備えた半導体装置を量産性よく得ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 溝8を形成する工程と,SiN膜32を除去する工程とを、SiN膜32が除去された時点で上記SiN膜32の開口部が形成されていた領域に上記第1上クラッド層5aが露呈するような条件のECRプラズマエッチングを用いて同時に行った後、大気に触れない状態を維持したまま、p-Al0.48Ga0.52As第2上クラッド層5b,p-GaAsコンタクト層7を結晶再成長させるようにした。 |
| 公开日期 | 1998-02-03 |
| 申请日期 | 1996-07-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77082]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杵築 弘隆,宮下 宗治. 半導体装置の製造方法. JP1998032369A. 1998-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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