面発光型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 森 克己; 近藤 貴幸 |
| 发表日期 | 2001-07-19 |
| 专利号 | JP3211459B2 |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 反射ミラーとオーミック電極との間の空間からの光の洩れを防止して高い利得を得ることができる面発光型半導体レーザ、およびこれを高い歩留まりで製造することができる方法を提供する。 【構成】 半導体層のうちの少なくともクラッド層107が柱状に形成されている光共振器と、柱状の前記半導体層の周囲に形成された埋込み層109と、光出射用の開口部118が形成され、500〜3,000オングストロームの膜厚を有するオーミック電極117と、このオーミック電極117と電気的に接続され、その膜厚が前記オーミック電極117の膜厚より大きいコンタクト電極122とを有する。前記一対の反射ミラーの一方は、前記開口部118内に形成された光射出ミラー部111aと、少なくともこの光出射ミラー部111aと前記オーミック電極117との境界領域を覆うカバーミラー部111bとを含む。 |
| 公开日期 | 2001-09-25 |
| 申请日期 | 1993-02-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77087]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 克己,近藤 貴幸. 面発光型半導体レーザおよびその製造方法. JP3211459B2. 2001-07-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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