半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 柳ケ瀬 雅司; 今本 浩史; 小西 康弘 |
| 发表日期 | 1998-01-23 |
| 专利号 | JP1998022523A |
| 著作权人 | オムロン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 光出力が大きい半導体発光素子を提供する。 【構成】 n-GaAs半導体基板11の上面にn-GaAs成長層12をエピタキシャル成長させる。このn-GaAs成長層12の上面にエッチングで凸条と凹溝を交互に形成する。凹凸が形成されたn-GaAs成長層12の上面にp-GaAs層13およびp-AlGaAs層14を順次エピタキシャル成長させる。p-AlGaAs層14内にn型イオンを注入してn型反転層15を形成する。p-AlGaAs層14のn型反転層15が形成されていない部分が電流通路領域17となる。p-AlGaAs層14の上面にp側電極16を,n-GaAs半導体基板11の下面にn側電極10をそれぞれ形成する。 |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 申请日期 | 1996-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77106]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | オムロン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柳ケ瀬 雅司,今本 浩史,小西 康弘. 半導体発光素子. JP1998022523A. 1998-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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