半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 順一 |
| 发表日期 | 2000-09-08 |
| 专利号 | JP2000244067A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 非混和領域に起因する制約がバンドギャップに関して存在しないエッチング停止層を備える半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ素子は、基板2上に設けられた活性層8と、AlGaInP半導体およびGaInP半導体の少なくともいずれか一方を含み活性層8に沿って設けられた第2クラッド層20と、活性層8と第2のクラッド層20との間に挟まれ、GaAsP半導体を含む中間層22と、中間層22と活性層8との間に挟まれ、AlGaInP半導体およびGaInP半導体の少なくともいずれか一方を含む第1のクラッド層12と、を備える。中間層は組成比を変化させることによってバンドギャップを変化できるので、中間層にGaAs半導体を使用する場合に比べて、第1のおよび第2のクラッド層と中間層との界面のヘテロ障壁が低減される。 |
| 公开日期 | 2000-09-08 |
| 申请日期 | 1999-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77110]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 順一. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP2000244067A. 2000-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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