半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 深谷 一夫 |
| 发表日期 | 1997-07-31 |
| 专利号 | JP1997199784A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 共振器端面の劣化が抑制された長寿命の半導体レーザを提供すること。 【解決手段】 n型GaAs基板301上に、ウィンドウ領域の高さ補正のためのレジストマスク302を用いたエッチングと、レジストマスク303を用いたエッチングにより導波路方向にのびてウィンドウ領域のみ湾曲した矩形型ストライプを形成する。こうして得られた形状基板全体をなめらかにエッチングすることにより凸状ストライプの稜線がウィンドウ部で側方に湾曲した形状の基板を得る。その上に、InGaAs歪量子井戸SCH構造306を含むダブルヘテロ構造および導波路構造をMOVPE法により成長させる。この結果、導波路に沿ってInGaAs活性層の基板面方位からの傾斜角が、共振器内部領域からウィンドウ部の端面にかけて0度から6度になめらかに傾いた構造のウィンドウレーザが得られる。 |
| 公开日期 | 1997-07-31 |
| 申请日期 | 1996-01-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77134]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深谷 一夫. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1997199784A. 1997-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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