半導体発光素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 上山 智; 辻村 歩; 西川 孝司 |
| 发表日期 | 1998-08-07 |
| 专利号 | JP1998209572A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 極低しきい値電流、長寿命の短波長半導体レーザを提供する。 【解決手段】 基板101上に、n-GaAs層102、n-ZnMgSSeクラッド層103、i-ZnSSe光ガイド層104、ZnCdSe量子ドット活性領域105、i-ZnSSe光ガイド層106、p-ZnMgSSeクラッド層107、p-ZnSe/ZnTe超格子層108、p-ZnTeコンタクト層109が順次積層されている。ZnCdSe量子ドット活性領域105の大きさはボーア半径の2倍に近いために電子-正孔間のクーロン相互作用が強く、ひとつの電子-正孔対は直ちに励起子となる。そして2つの励起子もほぼ100%励起子分子となり単独の2つの励起子に分離する確率は極めて小さい。このように空間的に電子-正孔対を閉じ込める作用によってわずかな励起子密度、あるいはキャリア密度においても容易に反転分布を作り出すことができる。 |
| 公开日期 | 1998-08-07 |
| 申请日期 | 1997-01-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77141]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上山 智,辻村 歩,西川 孝司. 半導体発光素子およびその製造方法. JP1998209572A. 1998-08-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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