半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木村 明隆 |
| 发表日期 | 1997-06-10 |
| 专利号 | JP1997153657A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】InP基板上に半導体レーザの活性層を含む半導体層を結晶成長により形成し、しかる後にドライエッチングにより活性層を含むストライプを形成するレーザの製造方法において、ドライエッチング時に生じた損傷層を除去し、かつその後の再結晶成長時に障害となるような段差を活性層とクラッド層の間に生じさせない方法の提供。 【解決手段】InP基板11上に半導体レーザ(以下単にレーザ)の活性層13を含む半導体層を結晶成長により形成した後にドライエッチングによって活性層13を含むストライプ11を形成し、硫酸をエッチャントとして用いたエッチングによってドライエッチング時に生じた損傷層を除去し、ストライプの両側に半導体層を形成するための再結晶成長を行なう。 |
| 公开日期 | 1997-06-10 |
| 申请日期 | 1995-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77145]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 明隆. 半導体レーザの製造方法. JP1997153657A. 1997-06-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。