複合光デバイスの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 瀧口 透; 鈴木 大輔; 竹見 政義; 多田 仁史 |
| 发表日期 | 2000-10-06 |
| 专利号 | JP2000275460A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 複合光デバイスの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ発振領域および光変調器領域を含むレーザメサ部の端面およびアイソレーショントレンチの形成にかかる工程において、(110)面における結晶成長に対して(001)面における化合物半導体の結晶成長を助長し、絶縁膜や開口部の両壁面上部への化合物半導体の結晶成長を抑制すること。 【解決手段】 化合物半導体基板の(001)面上に第1クラッド層を介して形成された活性層、第2クラッド層、光ガイド層および第3クラッド層を含むレーザ発振領域と該第1クラッド層上に光導波または光吸収層および第2クラッド層を含む光変調器領域を含むメサ構造部が、該活性層の一端面と該光導波または光吸収層の一端面とを接合するように構成され、および光変調器領域のレーザ発振領域と接合している端面と反対の端面が[110]と直交する方向[1/10]とほぼ45°の角度を成すように形成されることを含む複合光デバイスの製造方法。 |
| 公开日期 | 2000-10-06 |
| 申请日期 | 1999-03-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77152]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀧口 透,鈴木 大輔,竹見 政義,等. 複合光デバイスの製造方法. JP2000275460A. 2000-10-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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