半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鶴岡 清貴 |
| 发表日期 | 2000-05-16 |
| 专利号 | JP2000138418A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電流ブロック層とクラッド層との接触を回避して、高温高出力時の特性劣化を防止する。 【解決手段】 第1マスク膜9をエッチングマスクとして用いて上部クラッド層3を含む半導体積層構造10をメサ状に形成した後、第1マスク膜9を囲むように第2マスク膜14を形成して、この第2マスク膜14を選択成長用マスクとして用いて第2マスク膜14の周囲に第1電流ブロック層6を形成する。 |
| 公开日期 | 2000-05-16 |
| 申请日期 | 1998-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77172]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鶴岡 清貴. 半導体レーザの製造方法. JP2000138418A. 2000-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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