半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 東出 啓 |
| 发表日期 | 1999-09-17 |
| 专利号 | JP1999251677A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 安定して反射面(劈開面)以外のコーティング膜を除去することを目的とする。 【解決手段】 半導体基板上に、少なくとも、第1クラッド層、活性層、及び第2クラッド層をこの順で積層した後、前記半導体基板下方、及び前記第2クラッド層上方にそれぞれ電極を形成する工程と、前記電極上に、有機化合物保護膜を形成する工程と、前記半導体基板をバー状に劈開した後、当該劈開面にコーティング膜を形成する工程と、前記有機保護膜を除去する工程と、を、少なくとも備え、回り込みによって劈開面以外に付着したコーティング膜をリフトオフ除去してなる。 |
| 公开日期 | 1999-09-17 |
| 申请日期 | 1998-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77174]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東出 啓. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1999251677A. 1999-09-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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