半導体レーザ装置
文献类型:专利
作者 | 菅 康夫 |
发表日期 | 2006-10-05 |
专利号 | JP2006269921A |
著作权人 | シャープ株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ装置 |
英文摘要 | 【課題】 高温で良好な自励発振を起こし、かつ、戻り光ノイズが小さい半導体レーザ装置を提供すること。 【解決手段】 クラッド層に、可飽和吸収層83を形成する。また、活性層81と可飽和吸収層83との間に、ポテンシャル井戸構造を有するキャリアトラップ層82を形成する。 【選択図】図8 |
公开日期 | 2006-10-05 |
申请日期 | 2005-03-25 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77193] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | シャープ株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅 康夫. 半導体レーザ装置. JP2006269921A. 2006-10-05. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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