半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 松本 信一; 伊賀 龍三; 馬渡 宏泰; 福田 光男 |
| 发表日期 | 1996-08-30 |
| 专利号 | JP1996222809A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 埋め込み再成長界面において、リーク電流の原因となる不純物のパイルアップが少なく、かつ、素子の長期安定動作に有効である、活性層側面での品質の良い埋め込み層形成が可能な構造を有した、高抵抗層埋め込み構造半導体レーザを提供する。 【構成】 第1の導電型を有する(100)半導体基板1と、活性層3、第2の導電型を有するクラッド層4、および第2の導電型を有する電極層5を少なくとも含み、ストライプ状に形成されたメサストライプ11と、該メサストライプ11を構成する前記第2の導電型を有するクラッド層4の側面12の一部が、(110)結晶面13から、逆テーパー側に傾いた結晶面であり、かつ該メサストライプ11の両側には半絶縁性高抵抗電流阻止層7を備えた半導体発光装置において、前記メサストライプ11の側面の一部が、前記活性層3をその上に配置する半導体層2の一部によって構成する。 |
| 公开日期 | 1996-08-30 |
| 申请日期 | 1995-02-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77197]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 信一,伊賀 龍三,馬渡 宏泰,等. 半導体発光装置. JP1996222809A. 1996-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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