半導体発光装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 伊藤 哲; 石橋 晃; 池田 昌夫 |
| 发表日期 | 1995-03-10 |
| 专利号 | JP1995066151A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 II-VI族化合物半導体より成る半導体発光装置のp型不純物のドーピング方法の最適化をはかり、結晶の光学的品質を損なうことを回避して電流閾値の低減化、寿命の長期化及び信頼性の向上をはかる。 【構成】 基板1上に半導体層をエピタキシャル成長する際に、少なくとも不純物の一部をプラズマ励起を用いてドープする半導体発光装置の製造方法において、少なくとも光が導波される領域6及び7のp型不純物をECR(電子サイクロトロン共鳴)プラズマを用いて導入し、光が導波されない領域9〜11の不純物を他のプラズマ励起を用いて導入する。 |
| 公开日期 | 1995-03-10 |
| 申请日期 | 1993-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77216]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 哲,石橋 晃,池田 昌夫. 半導体発光装置の製造方法. JP1995066151A. 1995-03-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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