光半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山崎 進; 江川 満; 藤井 卓也; 雙田 晴久; 小林 宏彦 |
| 发表日期 | 2002-05-17 |
| 专利号 | JP3306688B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 光半導体装置の製造方法に関し、半導体結晶膜をストライプに選択成長した場合、必要部分の全長に亙って成長膜厚が均一となるようにし、又、選択成長用マスクを形成する際に選択成長の下地に与えられたダメージの影響を解消して、良質の結晶が得られるようにする。 【構成】 マスク長LM として、レーザ部分Lの長さに有機金属気相成長法に於ける原料ガスの拡散長の少なくとも二倍の長さを加えた長さに設定し、半導体基板1上に於けるクラッド層2及び活性層3及びクラッド層4などの選択成長領域(選択成長領域幅WS )を表出させるストライプの開口をもつ選択成長用マスクMを形成し、その後、選択成長用マスクMを介して前記選択成長領域を含む半導体基板1上にレーザ部分Lを構成する半導体結晶層及びその半導体結晶層とは少なくとも厚さを異にする光導波路部分Gを構成する半導体結晶層を同時に成長させる。 |
| 公开日期 | 2002-07-24 |
| 申请日期 | 1994-04-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77226]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎 進,江川 満,藤井 卓也,等. 光半導体装置の製造方法. JP3306688B2. 2002-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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