半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 井出 聡 |
| 发表日期 | 1993-08-27 |
| 专利号 | JP1993218585A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 埋込み構造のメサストライプ型半導体発光装置に関し,埋込み層から活性層への不純物拡散を防止し,発光効率を高めしきい値電流を低減することを目的とする。 【構成】 第一導電型の基板1上に順次堆積された第一導電型の下側クラッド層2,活性層3及び第二導電型の上側クラッド層4をストライプ状に成形したメサ5と,メサ5の外側を埋め込む第二導電型の埋込み層7と,メサ5上に堆積される第二導電型のコンタクト層9と,基板1の裏面及びコンタクト層9の表面に形成される電極10,11とを有してなる半導体発光装置において,メサ5の側壁と埋込み層7との間に,n型導電型の又は不純物を含まない半導体の何れかからなり,下側クラッド層2又は上側クラッド層4の一つと同一の又は大きな禁制帯幅を有する拡散障壁層6を設けたことを特徴として構成する |
| 公开日期 | 1993-08-27 |
| 申请日期 | 1992-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77228]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井出 聡. 半導体発光装置. JP1993218585A. 1993-08-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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