半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大倉 裕二; 船場 真司 |
| 发表日期 | 1995-05-19 |
| 专利号 | JP1995131110A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ダブルチャネル埋込ヘテロ型半導体レーザ装置の製造方法において、簡単な方法で確実に、メサストライプ側面部のn型埋込層と、活性層上部の上クラッド層とが接触するのを防止する。 【構成】 n型InP第1埋込層7を形成した後、メルトバック現象を利用してメサストライプ側面上端部30を除去して、第2埋込層7と、上クラッド層4の先端とを遠ざけ、そののち第3埋込層8を形成する。 |
| 公开日期 | 1995-05-19 |
| 申请日期 | 1993-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77241]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大倉 裕二,船場 真司. 半導体レーザ装置の製造方法. JP1995131110A. 1995-05-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。