半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 船戸 健次; 朝妻 庸紀; 河合 弘治 |
| 发表日期 | 1997-09-22 |
| 专利号 | JP1997252163A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体の多層構造による半導体発光素子おいて、その発光強度の向上をはかる。 【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体の多層構造による半導体発光素子おいて、発光層(活性層)5の厚さdを5nm以下0.3nm以上とする。 |
| 公开日期 | 1997-09-22 |
| 申请日期 | 1996-03-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77243]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 船戸 健次,朝妻 庸紀,河合 弘治. 半導体発光素子. JP1997252163A. 1997-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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