半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 柳澤 浩徳; 田中 俊明 |
| 发表日期 | 1995-05-12 |
| 专利号 | JP1995122817A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】490nm帯から520nm帯の波長領域で室温連続発振を容易にする。 【構成】通常の基板に格子整合するZnMgSSeクラッド層の活性層近傍に、S組成を大きくしたZnMgSSe層の薄膜を10〜20周期設ける。 【効果】ZnMgSSe層の禁制帯幅が広がり、伝導帯に周期的ポテンシャルが形成される。これによって、電子に対する障壁を大きくして活性層とクラッド層の禁制帯幅の差を実効的に向上させた結果、電子の活性層への閉じ込めが格段に向上した。 |
| 公开日期 | 1995-05-12 |
| 申请日期 | 1993-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77245]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柳澤 浩徳,田中 俊明. 半導体レーザ素子. JP1995122817A. 1995-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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