窒化物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 中村 修二; 岩佐 成人; 長濱 慎一 |
| 发表日期 | 2000-12-22 |
| 专利号 | JP3141824B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】向上した発光出力を示す窒化物半導体発光素子を提供する。 【解決手段】InおよびGaを含有する窒化物半導体からなる活性層(6)の両側またはその一方に接してInおよびGaを含有する窒化物半導体からなるクラッド層(5、7)を形成する。さらに、屈折率の異なる2種類の窒化物半導体が2層以上積層された多層膜からなる反射層(44、55)を有する。 |
| 公开日期 | 2001-03-07 |
| 申请日期 | 1995-12-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77261]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 修二,岩佐 成人,長濱 慎一. 窒化物半導体発光素子. JP3141824B2. 2000-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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