半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 魚見 和久; 佐々木 真二; 楠 浩典; 河野 敏弘; 土屋 朋信; 奥野 八重 |
| 发表日期 | 1995-01-24 |
| 专利号 | JP1995022692A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、埋込層に異常成長の生じることなく有機金属気相成長法により埋込層を形成することにより、電流阻止効果の大きい埋込ヘテロ構造半導体レ-ザを提供することにある。 【構成】 有機金属気相成長法により埋込ヘテロ構造半導体レ-ザの埋込層を形成するとき異常成長が生じさせないために、n型埋込層の不純物の種類、及び不純物濃度を適切に選ぶこと、及び活性層幅、多重量子井戸型活性層の,井戸数、及び分布帰還型構造の共振器構造を適切に設定した半導体レ-ザ。 【効果】 高温動作時においても、電流阻止効果の大きい埋込ヘテロ構造半導体レ-ザを提供できるので、低しきい値化に対して効果がある。。 |
| 公开日期 | 1995-01-24 |
| 申请日期 | 1993-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77270]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魚見 和久,佐々木 真二,楠 浩典,等. 半導体レーザ. JP1995022692A. 1995-01-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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