半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 福永 敏明; 和田 貢 |
| 发表日期 | 2001-02-23 |
| 专利号 | JP2001053383A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 内部電流狭窄構造を有する半導体レーザ装置において、等価屈折率段差を向上させ、高い出力まで基本横モード発振を得る。 【解決手段】 n型GaAs基板11上にn-In0.49Ga0.51P下部クラッド層12、nあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2光導波層13、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3圧縮歪量子井戸活性層14、pあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部第一光導波層15、p-Inx6Ga1-x6P第一エッチング阻止層16(0.2≦x6≦0.8)、nまたはp-Inx1Ga1-x1As1-y1Py1第二エッチング阻止層17、n-In0.49Ga0.51P電流狭窄層18、n-GaAsキャップ層19を積層する。この上にSiO2膜20を形成し、3μm程度の幅のストライプ領域のSiO2膜20を除去し、GaAsキャップ層19とn-In0.49Ga0.51P電流狭窄層18をエッチングする。SiO2膜20を除去し、n-GaAsキャップ層19と溝の底面のInx1Ga1-x1As1-y1Py1第二エッチング阻止層16を除去し、その上にp-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部第二光導波層21、p-In0.49Ga0.51P上部クラッド層22、p-GaAsコンタクト層23を形成する。 |
| 公开日期 | 2001-02-23 |
| 申请日期 | 1999-08-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77289]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永 敏明,和田 貢. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP2001053383A. 2001-02-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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