半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 長崎 洋樹; 岩本 浩治 |
| 发表日期 | 1998-09-25 |
| 专利号 | JP1998256651A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板側への電流のリークを抑制することにより、良好な特性を有し、かつ製造コストや歩留まりの点で優れている半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 レーザ光が出射する方向と平行な面1sに導電性接着剤6とオーミック接合しない結晶成長層3,4によるひさし状部10が形成されて成る半導体レーザ1を構成する。 |
| 公开日期 | 1998-09-25 |
| 申请日期 | 1997-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77306]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長崎 洋樹,岩本 浩治. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1998256651A. 1998-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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