半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大村 悦司 |
| 发表日期 | 1995-02-14 |
| 专利号 | JP1995045902A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 信頼性が高く、単一基本モードで高出力が得られる半導体レーザを提供する。 【構成】 活性層103の一方側のクラッド層104に少なくとも一つの山を有するリッジ106を設け、そのリッジ106を、該リッジを構成する半導体よりも屈折率が大きく,活性層よりも禁制帯幅の大きい材料105で埋め込み、「アンチガイド」型の半導体レーザを形成した。 【効果】 基本横モード維持した状態で高出力を有する、長寿命な半導体レーザを実現できる。 |
| 公开日期 | 1995-02-14 |
| 申请日期 | 1993-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77307]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大村 悦司. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1995045902A. 1995-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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