光デバイス
文献类型：专利
| 作者 | 須佐 信彦; 倉持 栄一 |
| 发表日期 | 1997-07-11 |
| 专利号 | JP1997179080A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光デバイス |
| 英文摘要 | 【課題】 低エネルギーで動作する高性能な光デバイス(光強度変調器、光位相変調器、光スイッチ又はモードロックレーザ等)を提供することを課題とする。 【解決手段】 III -V族化合物半導体の(311)面基板31上に、該基板よりバンドギャップが小さく、かつ異なる格子定数を有するIII -V族化合物半導体をエピタキシャル成長させることにより形成した円盤状の半導体と、これを包み込むエネルギーバンドギャップが大きくかつ格子定数が円盤状半導体と異なるクラッド層で構成された、微細島構造33を動作層にし、この微細島構造に電子あるいは正孔のいずれか一方、あるいは両方のキャリアを注入して動作させてなる。 |
| 公开日期 | 1997-07-11 |
| 申请日期 | 1995-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77310]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須佐 信彦,倉持 栄一. 光デバイス. JP1997179080A. 1997-07-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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