半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 高橋 孝志 |
| 发表日期 | 2001-02-16 |
| 专利号 | JP2001044563A |
| 著作权人 | 株式会社リコー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 導波路吸収損失が小さく、かつ、共振器端面の光学損傷を抑制する赤色半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 ストライプ領域のGaInPエッチングストップ層106上に、AlGaInP光導波層109を形成することで、ストライプ領域の実屈折率が増加して実屈折率導波型半導体レーザを構成できる。また、ストライプ領域外側の電流ブロック層は活性層105よりもバンドギャップの大きいAlGaInPから形成されており、レーザ光の吸収損失を低減できる。さらに、AlGaInP電流ブロック層107,108のAl組成が第2導電型AlGaInPクラッド層110のAl組成と略等しくなっており、Al組成が増加していないので、レーザ共振器端面の光学損傷レベルが増加することもない。 |
| 公开日期 | 2001-02-16 |
| 申请日期 | 1999-08-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77315]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社リコー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 孝志. 半導体レーザ装置. JP2001044563A. 2001-02-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。