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半導体発光素子の製法

文献类型:专利

作者園部 雅之
发表日期1996-10-01
专利号JP1996255929A
著作权人ローム株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体発光素子の製法
英文摘要【目的】 ドライエッチングによるダメージやコンタミネーションの付着を防止し、電気特性および発光効率の向上した半導体発光素子の製法を提供する。 【構成】 (a)基板1上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなる一方の導電型層を成膜し、(b)該一方の導電型層の一部をマスク10で覆い、(c)該マスクで覆われない前記一方の導電型層上に少なくとも他の導電型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層3、4、5、6をエピタキシャル成長し、(d)前記マスクを除去し、該マスクの除去により露出した前記一方の導電型層および前記他の導電型層にそれぞれn側およびp側の電極9、8を設けることにより発光素子のチップを形成する。
公开日期1996-10-01
申请日期1995-03-16
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77321]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ローム株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
園部 雅之. 半導体発光素子の製法. JP1996255929A. 1996-10-01.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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