半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 島田 直弘 |
| 发表日期 | 1994-04-22 |
| 专利号 | JP1994112582A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】光ディスク、レーザビームプリンタなどに使用される半導体レーザ装置のビーム広がりのアスペクト比をほぼ1にし、高出力動作を可能とし、サージ耐量も大きくする。 【構成】半導体基板上に形成された2つの異なる導電型からなる2つのクラッド層(2、4)およびその間に挟まれた活性層3を有するダブルヘテロ構造を持ち、一方のクラッド層に作られたストライプ状のリッジ部6を持つ半導体レーザ装置において、共振器中央部のリッジ部(通電領域)6aで発振した光からレーザ光出射端面近傍の三角形のリッジ部(導波路)6bで基本モードのみを選択し、共振器外部に取り出すことを特徴とすることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1994-04-22 |
| 申请日期 | 1992-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77329]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 島田 直弘. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1994112582A. 1994-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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